磁電耦合測量系統

·磁電耦合系數

      磁電耦合系數（Mangnetoelectric Voltage Coefficient, α_E=dP/dH ）是表征多鐵材料磁電耦合效應強弱最直接方式，也是最容易通過實驗測得的參數。磁電耦合系數分別正磁電耦合系數和逆磁電耦合系數，一般情況下二者大小相同。現在最為通用的測量正磁電耦合系數的原理通過對樣品施加交變磁場，具有磁電耦合效應的多鐵材料就會感生出相同頻率的交變電壓，再通過鎖相技術得到磁電耦合電壓的值，如圖1所示。此時，磁電耦合系數的單位為V/(cm·Oe)。

圖1 磁電耦合電壓測試原理圖

·技術指標

      本產品提供包括樣品桿、螺線管、樣品托等，可在OxfordPT®、Quantum Design PPMS®、Cryogenics® 、Janis®等各種低溫強磁場平臺使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范圍內具有很高的信噪比。此外，可以有多種測量方式，交變磁場和外加直流磁場可以施加在樣品的面內和面外方向，并且可以選購具有轉角功能的樣品桿，可以實現磁場面內和面外360°的轉角，為磁電耦合系數測量提供更多角度。

磁電耦合測量系統

·實例

       復合磁電耦合材料因為具有在室溫下大的磁電耦合系數而被廣泛的研究，其中Ni/PMN-PT/Ni trilayer因為其簡單的結構和材料成為研究的熱點，圖2是應用本產品測試的Ni/PMN-PT/Ni的磁電耦合系數隨外加直流磁場的變化，可以看出數據在μV量級仍然有很好的信噪比。

圖2 Ni/PMN-PT/Ni磁電耦合系數隨磁場的變化